韓國首爾2024年6月19日 /美通社/ -- 韓國8英吋晶圓代工廠SK啟方半導(dǎo)體（SK keyfoundry）今日宣佈，已確保新一代功率半導(dǎo)體GaN（氮化鎵）的關(guān)鍵器件特性。該公司正在加大GaN的開發(fā)力度，力爭在年內(nèi)完成開發(fā)工作。

SK啟方半導(dǎo)體還持續(xù)關(guān)注著GaN功率半導(dǎo)體的市場性和潛力。為此，該公司於2022年成立了一個專職團隊來推動GaN工藝的開發(fā)。日前，公司已得到650V GaN HEMT的新器件特性，並計劃在今年年底完成開發(fā)工作。

由於650V GaN HEMT具有較高的功率效率，因此與硅基產(chǎn)品相比，可以降低散熱器的成本。也正因如此，與硅基產(chǎn)品相比，終端客戶系統(tǒng)的價格差異較小。該公司預(yù)計，硅基650V產(chǎn)品將為快速充電適配器、LED照明、數(shù)據(jù)中心和ESS以及太陽能微型逆變器等市場的無晶圓廠客戶帶來開發(fā)優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品的優(yōu)勢。除了爭取新客戶外，SK啟方半導(dǎo)體還計劃積極向?qū)?50V GaN HEMT技術(shù)感興趣的現(xiàn)有功率半導(dǎo)體工藝客戶推廣該技術(shù)。

GaN具有高速開關(guān)、低導(dǎo)通電阻等特性，與硅基半導(dǎo)體相比，具備低損耗、高效率和小型化的優(yōu)越特性，因此被稱為新一代功率半導(dǎo)體。據(jù)市場調(diào)研公司OMDIA預(yù)測，GaN功率半導(dǎo)體市場將以33%的復(fù)合年增長率增長，從2023年的5億美元增至2032年的64億美元，主要用於電源、混合動力與電動汽車以及太陽能逆變器。

SK啟方半導(dǎo)體表示，公司計劃以650V GaN HEMT為基礎(chǔ)，打造GaN產(chǎn)品組合，可為GaN HEMT和GaN IC提供多種電壓。

SK啟方半導(dǎo)體首席執(zhí)行官Derek D. Lee表示：「除了具有競爭力的高壓BCD外，我們還在為下一代功率半導(dǎo)體做準備。我們還將擴大功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合，未來除GaN以外，還將包括SiC（碳化硅），以確立我們作為專業(yè)功率半導(dǎo)體代工廠的地位。」

關(guān)於SK啟方半導(dǎo)體

SK啟方半導(dǎo)體總部位於韓國，為半導(dǎo)體公司提供專業(yè)的模擬和混合信號代工服務(wù)，廣泛應(yīng)用於消費、通信、計算、汽車及工業(yè)行業(yè)等領(lǐng)域。憑借廣泛的技術(shù)組合和工藝節(jié)點，SK啟方半導(dǎo)體有能力靈活滿足全球半導(dǎo)體公司不斷發(fā)展的需求。瞭解更多信息，請訪問https://www.skkeyfoundry.com。