8英寸特色晶圓代工廠DB HiTek宣布，其下一代功率半導(dǎo)體平臺(tái)--650V增強(qiáng)型氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)工藝開發(fā)已進(jìn)入最終階段。該公司還將于10月底推出專屬氮化鎵多項(xiàng)目晶圓(MPW)項(xiàng)目。此后，DB HiTek計(jì)劃在2026年底前推出200V氮化鎵工藝及針對(duì)集成電路優(yōu)化的650V氮化鎵工藝。為支持這些舉措，DB HiTek正在擴(kuò)建位于韓國(guó)忠清北道的Fab2潔凈室設(shè)施。此次擴(kuò)建預(yù)計(jì)每月新增約3.5萬片8英寸晶圓產(chǎn)能。（美通社）
