三星電子9月12日宣布其首款1太比特（Tb）四層單元（QLC）第九代V-NAND已正式開始量產(chǎn)。今年四月，三星啟動了其首批三層單元（TLC）第九代V-NAND的量產(chǎn)，隨后又實現(xiàn)了QLC第九代V-NAND的量產(chǎn)。三星計劃擴大QLC第九代V-NAND的應用范圍，從品牌消費類產(chǎn)品擴展到移動通用閃存、個人電腦和服務器SSD，為包括云服務提供商在內的客戶提供服務。三星的通道孔蝕刻技術基于雙堆棧架構實現(xiàn)當前業(yè)內最高單元層數(shù)，并通過多項創(chuàng)新技術提升產(chǎn)品性能和可靠性。（美通社）
