9月3日，“2024開(kāi)放數(shù)據(jù)中心峰會(huì)”在北京召開(kāi)。三星電子副總裁兼閃存應(yīng)用工程師團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人，沈昊俊在會(huì)上發(fā)表主題演講。他介紹，為克服性能和容量的制約，采用并行搭載HBM和DRAM的方式正在逐漸成為行業(yè)趨勢(shì)。三星半導(dǎo)體目前單芯片容量最大32Gb的DDR5內(nèi)存產(chǎn)品，不久將可供應(yīng)128GB/256GB等大容量封裝規(guī)格；以及擁有目前三星最高隨機(jī)寫入性能400K IOPS的高性能8通道PCIe Gen5 SSD PM9D3a。三星基于QLC NAND技術(shù)的SSD產(chǎn)品BM1743未來(lái)可提供大容量規(guī)格計(jì)劃。（美通社）